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上?？萍即髮W公共超凈平臺是上海科技大學第一個五年計劃重點建設工程之一，是學校開展半導體器件工藝及其交叉學科研究的重要創新平臺。本超凈室主要為III-V族， III-Nitride, Si， Ge等無機半導體材料和相關新型器件提供研究和制造平臺。

公共超凈平臺的建設目的是為了促進納米科學技術、半導體技術、光電子技術的基礎研究和發展，以及能源、信息、材料、醫療、環境等領域多學科交叉研究。通過3-5年持續的發展和建設，將逐步建立起條件優良，功能齊全，管理規范，先進高效的優質資源公用系統和共享機制，建設成適應于當前以及未來器件工藝研發所需要的基礎支撐體系。

公共超凈平臺屬于上科大公共科研平臺，委托信息學院籌建并先期管理。根據科研工作需要，現誠聘刻蝕工藝工程師1名。該職位目前向公共超凈平臺負責人匯報工作。

一、 崗位職責

1. 負責嫻熟操作與使用超凈室中包含但不限于等離子刻蝕、反應離子刻蝕、化學通風柜等實驗設備、儀器及裝置以及III-V/氮化物/SiGe等濕法腐蝕工藝;

2. 負責完善與刻蝕工藝(含干法和濕法)流程相關工藝規范，研究工藝參數與條件對實驗結果的影響趨勢或規律;

3. 負責設計制定刻蝕工藝優化方案、擴大工藝窗口、改善工藝能力;對新進工藝工程師或工藝技術員責任機臺培訓方案執行。

4. 負責實現并完成學?？蒲许椖俊⑼鈪f項目與刻蝕工藝(含干法和濕法)相關的工藝流程;

5. 負責日常刻蝕工藝問題處理，完成分析報告并及時完成相關文件

6. 負責采購、保管和管理刻蝕工藝相關的必備耗材與工具;

7. 幫助和培訓學生以及其他科研工作人員使用刻蝕工藝相關的設備與儀器;

8. 輔助半導體器件制造實驗課程的制定和開設;

9. 其它負責人交待的相關工作。

二、招聘條件

1. 具有微電子，光電子，材料或者物理等領域的本科，碩士或博士學歷;在該項工藝領域具備優秀研發能力以及豐富良率提升經歷者可放寬學歷條件;

2. 具有豐富的器件工藝的經歷(研究生的在校科研經歷也適用);

3. 對半導體器件，光電子器件的工作原理和測試有基本的了解;

4. 具有良好的團隊合作精神，善于溝通;

5. 能夠閱讀相關專業的英語文獻及具備英文寫作能力;

6. 具有良好的協調溝通能力、管理能力和學習能力、以及團隊合作精神。

三、應聘要求及程序

1.請應聘者通過人才招聘系統(http://jobs.shanghaitech.edu.cn/)提交應聘申請，請填寫完整應聘材料。不接受現場和郵件應聘。應聘流程為：注冊、填寫并提交個人基本信息、應聘選擇崗位。

2.對應聘者進行資格審查，對初審通過者，將另行通知面試時間。

3.招滿即止。

4.如有疑問，請發郵件至sist@shanghaitech.edu.cn。