1、面試時間：外語成績線公布之后
2、面試形式：提問
3、面試內容：
第一部分：半導體器件物理
重點考察考生在半導體基本概念、器件物理基礎、深亞微米器件物理知識方面掌握和理解的程度以及分析問題和解決問題的能力。
（1）半導體能帶理論及其計算方法；
（2）半導體中載流子的輸運理論；
（3）半導體中熱、電、磁、光、壓阻等效應機理；
（4）半導體器件（MOSFET、BJT）基本原理與非理想效應；
（5）化合物半導體材料特性及器件；
（6）半導體超晶格及二維電子氣。
主要參考書目
（1）《半導體物理學》，劉恩科等編，電子工業出版社；
（2）《半導體物理與器件》(美) ，趙毅強、姚素英等譯，電子工業出版社；
（3）《現代半導體器件物理》，施敏（美），劉曉彥、賈霖、康晉鋒譯，科學出版社。
第二部分：電介質理論
重點考察考生在電介質物理基本概念、電介質極化、電導、交變電場中的介質損耗等方面掌握和理解的程度以及分析問題和解決問題的能力。
（1）恒定電場中電介質的極化； （2）恒定電場中電介質的電導；（3）交變電場中電介質的損耗。
主要參考書目：
（1）電介質物理導論，李瀚如編，成都電子科技大學出版社；
（2）電介質物理基礎，孫目珍，華南理工大學出版社；
（3）電介質物理，張良瑩、姚熹，西安交通大學出版社。
4、面試分數：100分
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