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學(xué)科：理學(xué)

門(mén)類(lèi)：電子信息科學(xué)類(lèi)

專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)：微電子學(xué)

業(yè)務(wù)培養(yǎng)目標(biāo)：本專(zhuān)業(yè)培養(yǎng)掌握微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)所必需的基礎(chǔ)知識(shí)、基本理論和基本實(shí)驗(yàn)技能，能在微電子學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學(xué)、科技開(kāi)發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理與行政管理等工作的高級(jí)專(zhuān)門(mén)人才。

業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求：本專(zhuān)業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)微電子學(xué)的基本理論和基本知識(shí)，受到科學(xué)實(shí)驗(yàn)與科學(xué)思維的基本訓(xùn)練，具有良好科學(xué)素養(yǎng)，掌握大規(guī)模集成電路及新型半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造及測(cè)試所必需的基本理論和方法，具有電路分析、工藝分析、器件性能分析和版圖設(shè)計(jì)等的基本能力。

畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識(shí)和能力：

1．掌握數(shù)學(xué)、物理等方面的基本理論和基本知識(shí)；

2．掌握固體物理學(xué)、電子學(xué)和VLSI設(shè)計(jì)與制造等方面的基本理論和基本知識(shí)，掌握集成電路和其它半導(dǎo)體器件的分析與設(shè)計(jì)方法，具有獨(dú)立進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)、器件性能分析和指導(dǎo)VLSI工藝流程的基本能力；

3．了解相近專(zhuān)業(yè)的一般原理和知識(shí)；

4．熟悉國(guó)家電子產(chǎn)業(yè)政策、國(guó)內(nèi)外有關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及其它法律法規(guī)；

5．了解VLSI和其它新型半導(dǎo)體器件的理論前沿、應(yīng)用前景和最新發(fā)展動(dòng)態(tài)，以及電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r；

6．掌握資料查詢(xún)、文獻(xiàn)檢索及運(yùn)用現(xiàn)代信息技術(shù)獲取相關(guān)信息的基本方法；具有一定的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，創(chuàng)造實(shí)驗(yàn)條件，歸納、整理、分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果，撰寫(xiě)論文，參與學(xué)術(shù)交流的能力。

主干學(xué)科：電子科學(xué)與技術(shù)

主要課程：半導(dǎo)體物理及實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體器件物理、集成電路設(shè)計(jì)原理、集成電路工藝原理、集成電路CAD、微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)實(shí)驗(yàn)和集成電路工藝實(shí)習(xí)等。

主要實(shí)踐性教學(xué)環(huán)節(jié)：包括生產(chǎn)實(shí)習(xí)、畢業(yè)論文(設(shè)計(jì))等，一般安排10--20周。

修業(yè)年限：四年

授予學(xué)位：理學(xué)或工學(xué)學(xué)士

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