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830-半導(dǎo)體物理

一、考試目的

《半導(dǎo)體物理》是微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士研究生入學(xué)考試的科目之一?！栋雽?dǎo)體物理》考試要力求反映微電子碩士學(xué)位的特點(diǎn)，科學(xué)、公平、準(zhǔn)確、規(guī)范地測評考生的基本素質(zhì)和綜合能力，以利于選拔具有發(fā)展?jié)摿Φ膬?yōu)秀人才入學(xué)，為我國現(xiàn)代化建設(shè)事業(yè)與微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展培養(yǎng)適應(yīng)我國現(xiàn)代化建設(shè)的實(shí)際需求，德智體全面發(fā)展，掌握微電子學(xué)專業(yè)所必需的知識、理論和實(shí)驗(yàn)技能，能在微電子學(xué)及相關(guān)專業(yè)從事科研、教學(xué)、科技開發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理及行政管理等工作的專門人才。

二、考試要求

測試考生對半導(dǎo)體物理的基本概念、基礎(chǔ)知識的掌握情況和運(yùn)用能力。

三、考試內(nèi)容

1.半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)

1)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)

2)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶

3)半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動 有效質(zhì)量

4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 空穴

5)回旋共振

6)硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)

7)III-V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)

8)II-VI族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)

2.半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級

1)硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級

2)III-V族化合物中的雜質(zhì)能級

3)缺陷、位錯(cuò)能級

3.半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布

1)狀態(tài)密度

2)費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布

3)本征半導(dǎo)體的載流子濃度

4)雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度

5)一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布

6)簡并半導(dǎo)體

4.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

1)載流子的漂移運(yùn)動 遷移率

2)載流子的散射

3)遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

4)電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

5)強(qiáng)電場下的效應(yīng) 熱載流子

6)歐姆定律的偏離

7)多能谷散射 耿氏效應(yīng)

5.非平衡載流子

1)非平衡載流子的注入與復(fù)合

2)非平衡載流子的壽命

3)準(zhǔn)費(fèi)米能級

4)復(fù)合理論

5)陷阱效應(yīng)

6)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動

7)載流子的漂移運(yùn)動 愛因斯坦關(guān)系式

8)d續(xù)性方程式

6.半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象

1)半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)

2)半導(dǎo)體的光吸收

3)半導(dǎo)體的光電導(dǎo)

4)半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)

5)半導(dǎo)體發(fā)光

6)半導(dǎo)體激光

7.半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng)

1)霍爾效應(yīng)

2)磁光效應(yīng)

3)量子化霍爾效應(yīng)

四、考試題型與分值

堅(jiān)持理論聯(lián)系實(shí)際、基礎(chǔ)知識與理解運(yùn)用相結(jié)合的原則，題型包括看圖分析、計(jì)算與推導(dǎo)、問答、簡述、名詞解釋等。本科目滿分150分。