考試科目名稱：半導體物理
科目代碼：846
一、物理基礎
1. 晶體中原子的結合。
2. 晶體結構與對稱性。
3. 常見晶體結構。
4. 晶格振動與聲子。
5. 光學聲子與聲學聲子。
二、半導體材料的能帶結構
1. 能帶的形成。
2. 導帶、價帶、禁帶及禁帶寬度。
3. 材料的導電性能與能帶結構的關系。
4. 直接帶隙與間接帶隙。
5. 導帶電子與價帶空穴，載流子。
6. 電子與空穴的有效質量。
7. 施主與受主，類氫原子近似。
8. P型、N型和本征半導體材料的特點。
9. 雜質對半導體導電性能的影響。
三、半導體材料的電學性能
1. 外場下半導體材料中載流子的運動形式。
2. 半導體材料的遷移率與電導率。
3. 半導體材料的電學性能隨溫度的變化。
4. 半導體材料的電學性能隨雜質濃度的變化。
5. 半導體材料的光電導與非平衡載流子。
6. 半導體材料的霍爾效應。
7. 半導體材料的熱電現象。
四、半導體器件
1. PN結的結構與電學性能，I-V曲線。
2. MOS器件的結構、工作原理及電學性能特點。
3. 雙極型三極管的結構、工作原理及電學性能特點
4. 發光二極管的工作原理。
5. 太陽能電池的工作原理。
6. 半導體溫度傳感器的工作原理。
五、半導體材料分析測試技術
1. 半導體材料禁帶寬度的測量方法。
2. 半導體材料中雜質電離能的測量。
3. 半導體材料載流子濃度的測量方法。
4. 半導體材料電阻率的測量。
5. 半導體材料中載流子遷移率的測量方法。
6. 半導體材料中少數載流子壽命的測量方法。
參考書目：《半導體物理》(第1版)，季振國編，浙江大學出版社，2005.9
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