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科目編號：3502

科目名稱：半導體物理

一、考試的總體要求

本門課程主要考察學生對半導體物理的基本概念、基本理論和基本方法的全面認識，正確理解和運用能力。要求考生對其基本概念有較深入的了解，能夠系統地掌握書中基本定律的推導、證明和應用，并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。掌握《半導體物理學》中半導體的晶格結構和電子狀態;雜質和缺陷能級;載流子的統計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產生、復合及其運動規律;半導體的表面和界面─包括p-n結、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結構、異質結;半導體的光學性質、光電與發光等物理現象和非晶半導體部分。

二、考試的內容

1．基本概念：半導體的電子狀態和能帶所涉及的如態密度、空穴及有效質量等概念；半導體中雜質和缺陷的基本類型及其特征；半導體中載流子的統計分布；半導體的導電性所涉及的電導率、遷移率及散射等基本概念；非平衡載流子統計分布所涉及的各種復合和非平衡載流子的壽命等概念；pn結及金屬半導體接觸所涉及的同質結、異質結、歐姆接觸、肖特基接觸等基本概念；半導體的光學性質和光電與發光現象所涉及的各種躍遷、光伏效應及發光效率等概念。

2、基本理論：半導體中電子的狀態和能帶理論，熱缺陷數目的統計，半導體中載流子的統計分布理論，半導體的導電性所涉及的電導率的統計理論，非平衡載流子產生與復合理論，pn結電流電壓特性及金屬半導體接觸整流理論，半導體的光學性質、光電與發光等現象。

3．計算方法：態密度、費米能、費米溫度、禁帶寬度，電子與空穴的有效質量、平均速度，電子與空穴的摻雜、費米能級，電導率和電阻率、遷移率、平均自由時間和平均自由程、電子與空穴的擴散長度與擴散電流，pn結的內建電勢差、勢壘寬度、金屬半導體接觸電勢差等。

三、考試的題型

名詞解釋、簡答題、作圖題、計算題

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